BS170-D26Z Transistor - N-MOSFET 60V 500mA (TO92)
Varenr:
H58017
EAN:
5705412580175
BS170 er en 60V N-kanal enhancement mode Field Effect Transistor produceret ved hjælp af DMOS-teknologi med høj celletæthed. Denne enhed er designet til at minimere on-state modstand, samtidig med at den giver robust, pålidelig og hurtig switching ydeevne. Dette kan bruges i de fleste applikationer, der kræver op til 500mA DC. Den er særligt velegnet til lavspændings-, lavstrømsapplikationer som f.eks. kontrol af små servomotorer, power MOSFET-gatedrivere og andre koblingsapplikationer.
Egenskaber:
- Højdensitetscelledesign til lav RDS (ON)
- Spændingsstyret lille signalafbryder
- Robust og pålidelig
- Høj mætningsstrømkapacitet
- 60V drain gate spænding (VDGR)
- ±20V kontinuerlig gate kildespænding (VGSS)
- 150°C/W termisk modstand, overgang til omgivelserne
Tekniske detaljer:
- Producent: ONSEMI
- Transistorpolaritet: N-kanal
- Kontinuerlig drænstrøm-id: 500mA
- Drænkilde Spænding Vds: 60V
- Drænkilde ved tilstandsmodstand: 1,2 ohm
- On Resistance Rds (on): 1,2ohm
- Rds (on) Testspænding: 10V
- Gate Kilde Tærskel Spænding Max: 2,1V
- Effekttab Pd: 830mW
- Driftstemperatur Max: 150°C
The BS170 is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density, DMOS technology. This device has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
Features:
- Manufacturer: ONSEMI
- High density cell design for low RDS (ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
- 60V drain gate voltage (VDGR)
- ±20V continuous gate source voltage (VGSS)
- 150°C/W thermal resistance, junction to ambient
Specifications:
- Transistor Polarity: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 500mA
- Drain Source Voltage Vds: 60V
- Drain Source On State Resistance: 1.2ohm
- On Resistance Rds(on): 1.2ohm
- Rds(on) Test Voltage: 10V
- Gate Source Threshold Voltage Max: 2.1V
- Power Dissipation Pd: 830mW
- Operating Temperature Max: 150°C
