IRF630 Transistor - N-MOSFET 200V 5,7A 75W (TO220)
IRF630 Transistor - N-MOSFET 200V 5,7A 75W (TO220)
Tekniske detaljer: Producent (varemærke): STMicroelectronics Type transistor: N-MOSFET Teknologi: MESH OVERLAY II Polarisering: unipolær Drain-source spænding (VDS): 200V Kontinuerlig dræinstrøm... Se mere
0 stk på lager
9 stk på fjernlager - Forventet levering om ca. 1-3 hverdage
Produktbeskrivelse
Produktbeskrivelse
Tekniske detaljer:
- Producent (varemærke): STMicroelectronics
- Type transistor: N-MOSFET
- Teknologi: MESH OVERLAY II
- Polarisering: unipolær
- Drain-source spænding (VDS): 200V
- Kontinuerlig dræinstrøm (ID): 5,7A
- Effektafledning (Pd): 75W
- Hus: TO220-3
- Gate-source spænding (Vgs): ±20V
- On-state modstand: 400mOhm
- Montering: Printhul
- Type kanal: Forbedret
- Funktioner ved halvlederenheder: ESD-beskyttet gate
Specifications:
- Manufacturer: STMicroelectronics
- Type of transistor: N-MOSFET
- Technology: MESH OVERLAY II
- Polarisation: Unipolar
- Drain-source voltage: 200V
- Drain current: 5.7A
- Power dissipation: 75W
- Case: TO220-3
- Gate-source voltage: ±20V
- On-state resistance: 400mΩ
- Mounting: THT
- Kind of channel: Enhanced
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Specifikationer
Specifikationer
Vi har i øjeblikket ingen tekniske specifikationer registreret på denne vare.
Er du i tvivl om den passer til dit behov?
Ring på 88 33 03 01 eller
send os en besked – vi står klar til at hjælpe.
Dokumenter (Monteringsvejledning, datablad mv.)
Dokumenter (Monteringsvejledning, datablad mv.)
Vi har i øjeblikket ingen bilag registreret på denne vare. Kontakt os for at høre om vi har bilag.
+8.600 kundeanmeldelser
Se hvad vores kunder siger om os
Indlæser anmeldelser...
