IRF630 Transistor - N-MOSFET 200V 5,7A 75W (TO220)
IRF630 Transistor - N-MOSFET 200V 5,7A 75W (TO220)
Tekniske detaljer: Producent (varemærke): STMicroelectronics Type transistor: N-MOSFET Teknologi: MESH OVERLAY II Polarisering: unipolær Drain-source spænding (VDS): 200V Kontinuerlig dræinstrøm... Se mere
0 stk på lager
9 stk på fjernlager - Forventet levering om ca. 1-3 hverdage
Produktbeskrivelse
Produktbeskrivelse
Tekniske detaljer:
- Producent (varemærke): STMicroelectronics
- Type transistor: N-MOSFET
- Teknologi: MESH OVERLAY II
- Polarisering: unipolær
- Drain-source spænding (VDS): 200V
- Kontinuerlig dræinstrøm (ID): 5,7A
- Effektafledning (Pd): 75W
- Hus: TO220-3
- Gate-source spænding (Vgs): ±20V
- On-state modstand: 400mOhm
- Montering: Printhul
- Type kanal: Forbedret
- Funktioner ved halvlederenheder: ESD-beskyttet gate
Specifications:
- Manufacturer: STMicroelectronics
- Type of transistor: N-MOSFET
- Technology: MESH OVERLAY II
- Polarisation: Unipolar
- Drain-source voltage: 200V
- Drain current: 5.7A
- Power dissipation: 75W
- Case: TO220-3
- Gate-source voltage: ±20V
- On-state resistance: 400mΩ
- Mounting: THT
- Kind of channel: Enhanced
- Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Specifikationer
Specifikationer
Vi har i øjeblikket ingen tekniske specifikationer registreret på denne vare.
Er du i tvivl om den passer til dit behov?
Ring på 88 33 03 01 eller
send os en besked – vi står klar til at hjælpe.
Dokumenter (Monteringsvejledning, datablad mv.)
Dokumenter (Monteringsvejledning, datablad mv.)
Vi har ingen bilag registreret på denne vare. Kontakt os for at høre om vi har bilag.
Kundeanmeldelser
Se hvad vores kunder siger om os
Indlæser anmeldelser...
